Введение в теорию полупроводников
| Автор(ы): | Ансельм А. И.
04.08.2015
|
| Год изд.: | 1978 |
| Описание: | Настоящая книга предназначается в первую очередь для лиц, занятых экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Она, вероятно, окажется полезной и для студентов физических специальностей. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (прохождению тока). |
| Оглавление: |
Обложка книги.
Предисловие ко второму изданию [7] Глава I. Геометрия кристаллических решеток и дифракция рентгеновских лучей [9] § 1. Простые и сложные кристаллические решетки [9] § 2. Примеры конкретных кристаллических структур [15] § 3. Прямая и обратная решетки кристалла [20] § 4. Формулы Лауэ и Вульфа—Брэгга для дифракции рентгеновских лучей в кристалле. Атомный и структурный факторы рассеяния [24] Глава II. Элементы теории групп и симметрия кристаллов [30] § 1. Введение [30] § 2. Элементы абстрактной теории групп [33] § 3. Точечные группы [39] § 4. Группа трансляций. Сингонии (кристаллические системы) и решетки Браве [48] § 5. Кристаллические классы. Пространственные группы [55] § 6. Неприводимые представления групп и теория характеров [64] § 7. Квантовая механика и теория групп [79] § 8. Применение теории групп к исследованию расщепления уровней энергии примесного атома в кристалле и к классификации нормальных колебаний многоатомной молекулы [86] § 9. Применение теории групп к трансляционной симметрии кристалла [96] § 10. Правила отбора [106] Глава III. Колебания атомов кристаллической решетки [110] § 1. Природа сил взаимодействия атомов в кристалле [110] § 2. Колебания и волны в простой одномерной (линейной) решетке [119] § 3. Колебания и волны в сложной одномерной (линейной) решетке [125] § 4. Нормальные координаты для простом одномерной решетки [130] § 5. Колебания атомов трехмерной сложной кристаллической решетки [133] § 6. Нормальные координаты колебаний кристаллической решетки [145] § 7. Колебания простой кубической решетки [151] § 8. Применение теории групп к исследованию нормальных колебаний кристаллической решетки [157] § 9. Колебания и волны в кристаллах в приближении изотропного континуума [166] § 10. Квантование колебаний кристаллической решетки. Фононы [173] § 11. Теория теплоемкости кристаллической решетки [178] § 12. Уравнение состояния твердого тела [186] § 13. Тепловое расширение и теплопроводность твердого тела [191] Глава IV. Электроны в идеальном кристалле [196] § 1. Общая постановка задачи. Адиабатическое приближение [196] § 2. Метод Хартри—Фока [199] § 3. Электрон в периодическом ноле [206] § 4. Понятие о положительных дырках почти заполненной валентной зоны [217] § 5. Приближение почти свободных (слабо связанных) электронов [221] § 6. Зоны Бриллюэна [225] § 7. Приближение сильно связанных электронов [231] § 8. Структура энергетических зон и симметрия волновых функций в простой кубической решетке и в кристалле сурмянистого индия [246] § 9. Группы волнового вектора для решетки типа германия [253] § 10. Спин-орбитальное взаимодействие и двойные группы [258] § 11. Двойные группы в кристаллах InSb и Ge [266] § 12. Спин-орбитальное расщепление в кристаллах InSb и Ge [272] § 13. Исследование спектра электронов (дырок) вблизи минимума (максимума) энергии в зоне Бриллгоэна (кр-метод) [276] § 14. Симметрия, связанная с обращением времени [291] § 15. Структура энергетических зон некоторых полупроводников [299] Глава V. Локализованные состояния электрона в кристалле [304] § 1. Функции Ванье. Движение электрона в поле примеси [304] § 2. Локализованные состояния электрона в неидеальной решетке [311] § 3. Экситоны [318] § 4. Поляроны [325] Глава VI. Электрические, тепловые и магнитные свойства твердых тел [336] § 1. Металлы, диэлектрики и полупроводники [336] § 2. Статистическое равновесие свободных электронов в полупроводниках и металлах [338] § 3. Теплоемкость свободных электронов в металлах и полупроводниках [349] § 4. Магнитные свойства вещества. Парамагнетизм газов и электронов проводимости в металлах и полупроводниках [352] § 5. Диамагнетизм атомов и электронов проводимости. Магнитные свойства полупроводников [361] § 6. Циклотронный (диамагнитный) резонанс [372] § 7. Контакт полупроводника с металлом. Выпрямление [380] § 8. Свойства р—n-переходов [387] § 9. Генерация и рекомбинация носителей тока. Квазиуровни Ферми [394] Глава VII. Оптика полупроводников [398] § 1. Дисперсионные соотношения Крамерса—Кронига [398] § 2. Межзонное поглощение света, связанное с прямыми переходами [403] § 3. Межзонные непрямые переходы [417] § 4. Поглощение света в полупроводниках свободными носителями [426] § 5. Поляритоны [428] § 6. Эффект вращения Фарадея [432] § 7. Теория межзонного поглощения света в квантующем магнитном поле [436] § 8. Поглощение света в полупроводниках в однородном электрическом поле (эффект Франца—Келдыша) [445] Глава VIII. Кинетическое уравнение и время релаксации для электронов проводимости в кристаллах [454] § 1. Явления переноса и кинетическое уравнение Больцмана [454] § 2. Кинетическое уравнение для электронов в кристалле [463] § 3. Рассеяние электронов на акустических колебаниях решетки [467] § 4. Время релаксации электронов проводимости в атомном полупроводнике и металле [471] § 5. Теория деформационного потенциала в кубических кристаллах с простой зонной структурой [476] § 6. Рассеяние электронов проводимости в ионных кристаллах на колебаниях решетки [481] § 7. Рассеяние электронов проводимости на заряженных и нейтральных атомах примесей [488] Глава IX. Кинетические процессы (явления переноса) в полупроводниках [494] § 1. Введение [494] § 2. Определение неравновесной функции для электронов проводимости в случае сферически-симметричной зоны [497] § 3. Электропроводность невырожденных полупроводников с простой зонной структурой [502] § 4. Термоэлектрические явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой [506] § 5. Гальваномагнитные явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой [513] § 6. Термомагнитные явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой [520] § 7. Явления переноса в полупроводниках с простой зоной при произвольном вырождении [527] § 8. Явления переноса в полупроводниках типа германия и кремния [533] § 9. Явления переноса в полупроводниках со сферической непараболической зоной [553] § 10. Эффект «фононного увлечения» в полупроводниках [557] § 11. Квантовая теория гальвано- и термомагнитных явлений в полупроводниках [565] Приложения [574] |
| Формат: | djvu |
| Размер: | 6903615 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
304
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |