Тонкопленочные солнечные элементы
Автор(ы): | Чопра К. Л., Дас С. Р.
10.03.2016
|
Год изд.: | 1986 |
Описание: | Монография индийских специалистов, посвященная тонким пленкам на основе полупроводниковых материалов, используемым в качестве солнечных элементов. Изложены методы осаждения и физические свойства многослойных пленок различных полупроводников, диэлектриков и металлов. Особое внимание уделено пленкам на основе сульфида меди и кремния. Рассмотрены новые виды солнечных элементов и новые направления в разработке высокоэффективных элементов. Для специалистов в области солнечной энергетики, полупроводниковых приборов и тонкопленочной электроники, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей. |
Оглавление: |
Обложка книги.
Предисловие редактора перевода [5]Глава 1 Анализ свойств электронно-дырочных переходов и исследование характеристик полупроводниковых материалов [7] Введение [7] Анализ свойств переходов [8] Исследование характеристик материалов [21] Глава 2 Методы осаждения тонких пленок [38] Введение [38] Физическое осаждение из паровой фазы [39] Методы химического осаждения 58] Методы осаждения из жидкой фазы [129] Другие методы осаждения [131] Глава 3 Физические свойства тонких пленок, применяемых в солнечных элементах [134] Введение [134] Полупроводниковые пленки [134] Прозрачные проводящие оксиды [185] Кинетические явления в металлических пленках 203] Диэлектрические пленки [215] Глава 4 Солнечные элементы на основе сульфида меди [220] Введение [220] Методы изготовления [222] Физические модели [228] Фотоэлектрические характеристики [235] Влияние различных способов обработки и свойств используемых материалов на характеристики элементов [254] Энергетическая зонная диаграмма и механизмы потерь [270] Выводы [273] Глава 5 Тонкопленочные поликристаллические кремниевые солнечные элементы [274] Введение [274] Современное состояние разработок массивных кремниевых солнечных элементов [275] Технология изготовления [277] Эффективность фотоэлектрического преобразования солнечного излучения [278] Направения дальнейших исследований [289] Глава 6 Солнечные элементы на основе аморфного кремния [291] Введение [291] Кинетические явления в аморфных материалах [292] Осаждение гидрогенизированного аморфного кремния [299] Свойства пленок гидрогенизированного аморфного кремния [306] Солнечные элементы на основе гидрогенизированного аморфного кремния [317] Новые разработки [331] Направления дальнейших исследований [333] Глава 7 Новые типы солнечных элементов [335] Введение [335] Арсенид галлия (GaAs) [336] Теллурид кадмия (CdTe) 340] CdSe [346] Фосфид цинка (Zn3P2) [348] Фосфид индия (InP) [349] Селенид меди и индия (CuInSe2) [354] Оксид меди (Си20) [359] Органические полупроводники [360] Направления дальнейших исследований [366] Глава 8 Новые направления в разработке высокоэффективных солнечных элементов [368] Введение [368] Эффекты, вызываемые высоким уровнем интенсивности излучения [369] Новые конструкции обычных солнечных элементов [374] Каскадные солнечные элементы со сверхвысоким КПД [382] Литература [395] Дополнительная литература [430] Предметный указатель [432] |
Формат: | djvu + ocr |
Размер: | 8336408 байт |
Язык: | РУС |
Рейтинг: | 259 |
Открыть: | Ссылка (RU) |