Теория экситонов
| Автор(ы): | Агранович В. М.
20.07.2015
|
| Год изд.: | 1968 |
| Описание: | Монография посвящена систематическому изложению теории оптических свойств кристаллов в экситонной области спектра. Хотя в ней большое внимание уделено теории экситонов малого радиуса, результаты рассмотрения целого ряда вопросов, затронутых в книге, таких, например, как теория эффектов запаздывания, формы экситонных полос поглощения света, феноменологическая теория переноса энергии экситонами, феноменологическая теория поверхностных экситонов, теория тензора диэлектрической проницаемости, нелинейных поляризуемостей в экситонной области спектра и некоторые другие, носят более общий характер и могут быть использованы применительно к экситонам произвольной структуры. Книга рассчитана на студентов старших курсов, аспирантов и научных работников, занимающихся теоретической физикой, а также оптикой, кристаллооптикой, изучением электрических свойств твердых тел, биофизикой и т. д. |
| Оглавление: |
Обложка книги.
Введение [9] ГЛАВА I. ЭКСИТОННЫЕ СОСТОЯНИЯ В ПРИБЛИЖЕНИИ ГАЙТЛЕРА-ЛОНДОНА. § 1. Экситоны в кристалле с неподвижными молекулами. Расщепление молекулярных термов в кристалле [21] § 2. Кулоновские и механические экситоны [27] § 3. Применение теории групп для определения поляризации и правит отбора при экситонном поглощении света. Вырождение экситонных термов [35] § 4. Теория триплетных экситонов [44] ГЛАВА II. ТЕОРИЯ ЭКСИТОНОВ МАЛОГО РАДИУСА В ПРЕДСТАВЛЕНИИ ВТОРИЧНОГО КВАНТОВАНИЯ. § 1. Оператор энергии кристалла с неподвижными молекулами в представлении вторичного квантования [49] § 2. Экситонные состояния при учете только одного возбужденного уровня молекулы. Переход к приближению Гайтлера—Лондона [52] § 3. Экситонные состояния (при учете только одного возбужденного уровня молекулы) без использования приближения Гайтлера—Лондона [58] § 4. Экситонные состояния при учете нескольких молекулярных уровней (смешивание молекулярных конфигураций) [61] § 5. Теория возмущений. Сравнение с результатами, полученными в приближении Гайтлера—Лондона [69] § 6. Правила сумм для сил осцилляторов экситонных переходов и гипохромный эффект [71] § 7. Экситон-фононное взаимодействие. «Локализованные» экситоны [77] § 8. Электронно-колебательные (вибронные) возбуждения в молекулярных кристаллах [82] § 9. Расчет экситонных зон в антрацене [90] ГЛАВА III. ТЕОРИЯ ЭКСИТОННЫХ СОСТОЯНИЙ ПРИ УЧЕТЕ ЗАПАЗДЫВАЮЩЕГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МЕЖДУ ЗАРЯДАМИ. § 1. Оператор энергии кристалла при учете запаздывающего взаимодействия [101] § 2. Дисперсия элементарных возбуждений и коэффициент преломления электромагнитных волн в кристалле. Операторы напряженности электрического и магнитного поля [106] § 3. О радиационной ширине экситонных состояний [117] § 4. Тензор диэлектрической проницаемости и феноменологическое рассмотрение длинноволновых экситонов в кристаллах [119] § 5. Радиационная ширина и спектр экситонных состояний в одномерных и двумерных молекулярных кристаллах [127] ГЛАВА IV. ТЕНЗОР ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ КРИСТАЛЛОВ В ЭКСИТОННОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА И ФОРМА ЭКСИТОННЫХ ПОЛОС ПОГЛОЩЕНИЯ. § 1. Методы расчета тензора диэлектрической проницаемости [136] § 2. Вычисление тензора диэлектрической проницаемости для экситонной области спектра [142] § 3. Комплексный поперечный тензор диэлектрической проницаемости и дисперсия электромагнитных волн в кристалле [145] § 4. Теория формы линий экситонного поглощения и правило Урбаха [152] ГЛАВА V. ТЕОРИЯ НЕЛИНЕЙНЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЭФФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ ДЛЯ ЭКСИТОННОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА. § 1. Методы теоретического изучения нелинейных оптических эффектов [172] § 2. Оператор энергии кубического энгармонизма в молекулярных кристаллах [177] § 3. Вероятности нелинейных оптических процессов третьего порядка. Правила отбора. Роль конечности размеров кристалла [185] § 4. Расчет тензора нелинейной поляризуемости кристалла для экситонной области спектра [194] ГЛАВА VI. ТЕОРИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В МОЛЕКУЛЯРНЫХ КРИСТАЛЛАХ. § 1. Введение [202] § 2. Основные соотношения. Смешивание молекулярных конфигураций в примесной молекуле [204] § 3. Локальные состояния в окрестности вакансий и молекул примеси. Роль резонансного взаимодействия между примесью и молекулами основного вещества [207] § 4. Поляризация примесного поглощения в молекулярных кристаллах [212] § 5. Экситонные состояния в смешанных молекулярных кристаллах [215] ГЛАВА VII. ЕСТЕСТВЕННАЯ ОПТИЧЕСКАЯ АКТИВНОСТЬ И КРУГОВОЙ ДИХРОИЗМ. § 1. Введение [219] § 2. Тензор (формула) в молекулярных кристаллах [221] § 3. Некоторые соотношения для дипольно-разрешенных экситонных состояний в гиротропных кристаллах. Форма зон при малых к и свойства волновых функций [224] § 4. Тензор (формула) в кристаллах, состоящих из негиротропных молекул [228] § 5. Тензор (формула) в кристаллах, состоящих из гиротропных молекул [233] § 6. Дисперсия оптической активности молекулярных кристаллов и круговой дихроизм [235] § 7. Экспериментальные исследования дисперсии оптической активности кристаллов [243] ГЛАВА VIII. ТЕОРИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЭКСИТОНОВ. § 1. Введение [246] § 2. Феноменологическая теория поверхностных экситонов без учета запаздывания [247] § 3. Феноменологическая теория поверхностных экситонов при учете запаздывания [257] § 4. Микроскопическая теория поверхностных экситонов в молекулярных кристаллах без учета запаздывающего взаимодействия [261] § 5. Микроскопическая теория поверхностных экситонов в молекулярных кристаллах при учете запаздывающего взаимодействия [269] ГЛАВА IX. МИГРАЦИЯ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОННОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ. § 1. Механизмы переноса [274] § 2. Длина свободного пробега и коэффициент диффузии локализованных экситонов в молекулярных кристаллах [278] § 3. Длина свободного пробега и коэффициент диффузии свободных экситонов в молекулярных кристаллах [282] § 4. Рассеяние свободных экситонов на примесях и дефектах кристаллической структуры [288] § 5. Захват экситонов в молекулярном кристалле примесными молекулами [294] § 6. Феноменологические уравнения диффузии экситонов [308] § 7. Макроскопические характеристики экситонной люминесценции в условиях сильной реабсорбции [319] § 8. Экспериментальные исследования кинетических параметров, определяющих перенос энергии электронного возбуждения в молекулярных кристаллах, и сравнение результатов этих исследований с теорией [337] ГЛАВА X. СТАТИСТИКА И КОЛЛЕКТИВНЫЕ СВОЙСТВА ФРЕНКЕЛЕВСКИХ ЭКСИТОНОВ. § 1. Метод приближенного вторичного квантования [349] § 2. Представление операторов Паули через операторы Бозе [352] § 3. Коллективные свойства идеального газа паулионов [356] § 4. Коллективные свойства френкелевских экситонов при учете динамического взаимодействия между ними [361] § 5. Фермиевский характер френкелевских экситонов в одномерных молекулярных кристаллах [366] Приложение. Диагонализаиия гамильтониана, квадратичного относительно бозе-амплитуд [369] Литература [372] |
| Формат: | djvu |
| Размер: | 4702073 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
185
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |