Преобразование солнечной энергии. Вопросы физики твердого тела

Автор(ы):ред. Серафин Б. О.
11.01.2025
Год изд.:1982
Описание: В книге, написанной ведущими специалистами США, ФРГ и Франции, рассмотрены вопросы физики полупроводников, определяющие эффективность преобразователей солнечной энергии. Описаны исследования селективных оптических поверхностей и материалов тепловых коллекторов, фотолиза с полупроводниками в качестве электродов, времени жизни носителей в кремнии и его влияния на характеристики солнечных элементов, технологии и характеристик преобразователей на основе сульфида кадмия, поверхностных явлений в гетеропереходах. Материал изложен на высоком научном уровне. Для специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, занимающихся разработкой и производством преобразователей энергии.
Оглавление:
Преобразование солнечной энергии. Вопросы физики твердого тела — обложка книги. Обложка книги.
Предисловие к русскому изданию [3]
Предисловие [4]
Глава первая. Селективные оптические поверхности и их роль в фототермическом преобразовании солнечной энергии. Б. Серафин [8]
  1.1. Оптическая селективность в фототермическом преобразовании. [9]
    1.1.1. Энергетический баланс на поверхности преобразователя [9]
    1.1.2. Спектральная характеристика идеального преобразователя [12]
    1.1.3. Критерий эффективности реальной поверхности [13]
    1.1.4. Условия работы и необходимость в оптической селективности [14]
    1.1.5. Оптически селективные поглотители для систем с высокой степенью концентрации излучения [17]
  1.2. Методы получения рптической селективности [18]
    1.2.1. Обзор физических процессов, приводящих к оптической селективности [18]
    1.2.2. Оптическая селективность, обеспечиваемая одним материалом [20]
    1.2.3. Металлы в качестве поглотителя и отражателя [24]
    1.2.4. Температурная зависимость оптических свойств 27 1. З Получение селективных оптических поверхностей [30]
    1.3.1. Двухслойные системы поглотитель - отражатель [30]
    1.3.2. Полупроводники в качестве поглотителя солнечной энергии [32]
    1.3.3. Получение селективности за счет избирательного воздействия рельефа поверхности и структуры поверхностного слоя на излучение [39]
  1.4. Примеры селективных покрытий [43]
    1.4.1. Интерференционные покрытия [43]
    1.4.2. Двухслойные покрытия [47]
    1.4.3. Электрохимические покрытия [50]
    1.4.4. Двухслойные покрытия, изготовляемые методом химического осаждения из паровой фазы [53]
Глава вторая. Спектральная селективность сложных материалов. А.Дж. Сиверс [56]
  2.1. О разделении высоко- и низкочастотных возбуждений [59]
    2.1.1. Молекулы [59]
    2.1.2. Металлы [60]
    2.1.3. Изоляторы [64]
    2.1.4. Поверхности [66]
  2.2. Излучательная способность гладкой металлической подложки [68]
    2.2.1. Свойства металлов в инфракрасной области излучения [68]
    2.2.2. Интегральный коэффициент излучения металлов в приближении свободных электронов [76]
    2.2.3. Пределы спектральной селективности [80]
  2.3. Сложные покрытия [81]
    2.3.1. Дипольное приближение [81]
    2.3.2. Диэлектрическая проницаемость смеси, содержащей металл Друде [84]
    2.3.3. Диэлектрическая проницаемость смесей, содержащих переходные металлы [87]
    2.3.4. Покрытия медных поверхностей, содержащие металлические частицы [88]
  2.4. Смеси на основе металлов [92]
    2.4.1. Экспериментальные параметры меди [92]
    2.4.2. Смесь в приближении свободных электронов [94]
    2.4.3. Коэффициент излучения в инфракрасной области [95]
    2.4.4. Влияние колебаний решетки [97]
  2.5. Преобразование спектра солнечного излучения с помощью селективных поверхностей [99]
    2.5.1. Форма селективной поверхности [99]
    2.5.2. Высокотемпературные селективные поверхности [102]
    2.5.3. Перспективы [104]
  Приложение А [105]
  Приложение Б [105]
  Приложение В [106]
Глава третья. Фотоэлектролиз под действием солнечного излучения при использовании полупроводниковых электродов. X. Геришер [106]
  3.1. Принципы фотоэлектролиза [107]
    3.1.1. Граница раздела полупроводник - электролит [107]
    3.1.2. Реакции переноса электронов на полупроводниковых электродах [112]
    3.1.3. Фототок и фотонапряжение [115]
    3.1.4. Электродвижущая сила фотоэлектролиза [117]
  3.2. Растворение полупроводниковых электродов под действием света [120]
    3.2.1. Энергетические и термодинамические аспекты [120]
    3.2.2. Кинетические аспекты [123]
    3.2.3. Материалы для электрохимических солнечных элементов [126]
  3.3. Принцип действия и эффективность фотоэлектрохимических солнечных элементов [132]
    3.3.1. Элементы регенеративного типа [132]
    3.3.2. Элементы аккумуляторного типа [137]
    3.3.3. Влияние свойств материалов на КПД преобразования [146]
Глава четвертая. Время жизни носителей в кремнии и его влияние на характеристики солнечных элементов. К. Графф, Г. Фишер [151]
  4.1. Фотоэлектрические параметры солнечных элементов, определяемые временем жизни носителей [152]
    4.1.1. Эффективность собирания [153]
    4.1.2. Фототок [155]
    4.1.3. Вольт-амперная характеристика [155]
    4.1.4. Эффективность преобразования [157]
  4.2. Методы измерения времени жизни носителей 158:
    4.2.1. Метод спада фотопроводимости [158]
    4.2.2. Метод поверхностной фото-ЭДС [163]
    4.2.3. Измерения на основе использования спектральной чувствительности солнечных элементов [164]
  4.3. Время жизни носителей в кристаллах кремния после выращивания [166]
    4.3.1. Сравнение результатов для кремния р-типа, выращенного методом Чохральского и методом плавающей зоны [166]
    4.3.2. Влияние концентрации легирующих примесей [169]
    4.3.3. Локальные изменения времени жизни носителей в кристаллах кремния [170]
  4.4. Время жизни носителей в кремниевых кристаллах, подвергнутых обработке [173]
    4.4.1. Технологические процессы при температурах, близких к комнатной [173]
    4.4.2. Технологические процессы при высоких температурах [179]
  4.5. Ограничения параметров солнечных элементов, обусловленные свойствами материала [187]
  4.6. Выводы [188]
Глава пятая. Проблемы создания фотоэлементов на основе Cu2S/CdS. М. Савелли, Дж. Бугнот при участии Ф. Гуаставино, Дж. Маруччи, X. Луквет [189]
  5.1. Технология изготовления гетеропереходов Cu2S/CdS [190]
    5.1.1. Технология получения тонкопленочного CdS [190]
    5.1.2. Получение слоя сульфида меди для структуры Cii2S/CdS [192]
    5.1.3. Формирование гетероперехода [194]
    5.1.4. Изготовление фронтального и тыльного электродов [195]
    5.1.5. Тонкопленочные фотоэлектрические структуры [196]
  5.2. Свойства пленок CdS [197]
    5.2.1. Обзор основных свойств массивного CdS [197]
    5.2.2. Свойства тонких поликристаллических пленок CdS [200]
  5.3. Свойства пленок Cu2S [204]
    5.3.1. Фазовая диаграмма системы Си - S и структурные свойства стабильных фаз [204]
    5.3.2. Электрические свойства массивного сульфида меди в области составов, близких к стехиометрическому Cu2S [206]
    5.3.3. Электрические свойства тонких слоев сульфида меди, близкого по составу к Cu2S [210]
    5.3.4. Изменение электрических свойств сульфидов меди в зависимости от состава [211]
    5.3.5. Оптические свойства сульфидов меди [212]
  5.4. Фотоэлектрические свойства элементов со структурой Cu2S/CdS [214]
    5.4.1. Структура перехода [214]
    5.4.2. Вольт-амперные характеристики [215]
    5.4.3. Вольт-емкостные характеристики [217]
    5.4.4. Спектральная чувствительность [218]
    5.4.5. Стабильность [220]
  5.5. Механизмы проводимости в элементах со структурой Cu2S/CdS [221]
  5.6. Заключение [225]
Глава шестая. Гетеропереходы и поверхностные явления в фотоэлектрических преобразователях. А. Фаренбрух, Дж. Аранович [227]
  6.1. Связь КПД преобразователей солнечной энергии с параметрами гетероперехода [228]
    6.1.1. Идеальный солнечный элемент и вычисление фототока [228]
    6.1.2. Критика предположений [233]
    6.1.3. Зависимость коэффициента собирания от напряжения смещения [238]
    6.1.4. КПД преобразователей [239]
  6.2. Современные теории процессов переноса носителей заряда в гетеропереходах [240]
    6.2.1. Диодные параметры J0 и А [241]
    6.2.2. Модель Андерсона для гетероперехода [243]
    6.2.3. Усложнение модели гетероперехода [247]
    6.2.4. Переходы металл - диэлектрик - полупроводник [254]
    6.2.5. Применение реальных гетеропереходов [263]
  6.3. Явления, связанные с поверхностью [265]
    6.3.1. Поверхность раздела металл - полупроводник [267]
    6.3.2. Поверхность раздела полупроводник - полупроводник [279]
    6.3.3. Кристаллографические аспекты поверхностной области: несоответствие периодов решетки, дислокации и электронные свойства [282]
    6.3.4. Заключение [291]
  6.4. Выводы [291]
Литература [294]
Список дополнительной литературы [315]
Формат: djvu + ocr
Размер:47059254 байт
Язык:РУС
Рейтинг: 201 Рейтинг
Открыть: Ссылка (RU)