Основы физики приборов с зарядовой связью
| Автор(ы): | Носов Ю. Р., Шилин В. А.
14.11.2022
|
| Год изд.: | 1986 |
| Описание: | Изложены физические основы новых перспективных элементов микроэлектроники и оптоэлектроники - полупроводниковых приборов с зарядовой связью. Приведены результаты теоретического анализа и экспериментального исследования статических, динамических, фотоэлектрических, шумовых характеристик этих приборов. Рассмотрена зависимость основных параметров приборов с зарядовой связью от электрофизических свойств исходного полупроводникового материала. Проведена оценка предельных возможностей нового направления интегральной электроники, в основе которого лежит использование полупроводниковых приборов с зарядовой связью. Для физиков и инженеров, занимающихся исследованием, разработкой, применением полупроводников и полупроводниковых приборов, а также для студентов старших курсов. |
| Оглавление: |
Обложка книги.
Глава 1. Приборы с зарядовой связью. Основные положения и определения [9] §1.1. Принцип действия ППЗ [9] §1.2. Динамика переноса зарядов [17] §1.3. Применение ППЗ [24] м§1.4. Разновидности ППЗ [28] §1.5. Историческая справка [33] Глава 2. Основы теории ПЗС (поверхностный канал) [38] §2.1. Квазистационарное состояние МДП-структуры [38] §2.2. Термогенерация [42] §2.3. Передача зарядовых пакетов [55] §2.4. Передача при управлении двухступенчатыми импульсами [59] §2.5. Передача при управлении трапецеидальными импульсами [73] §2.6. Аналитические оценки [81] §2.7. Особенности асимметричных ПЗС-структур [97] §2.8. Асимметричные структуры с управлением трапецеидальными импульсами [104] §2.9. Двухмерные эффекты [116] §2.10. Учет поверхностных состояний [122] §2.11. Некоторые экспериментальные результаты [132] Глава 3. Теория объемных ПЗС [138] §3.1. МДП-структура с объемным каналом [ступенчатый профиль распределения примесей) [139] §3.2. Структуры с произвольным профилем распределения примесей [152] §3.3. Двухмерные эффекты [167] §3.4. Передача зарядов в объемных ПЗС [174] §3.5. Влияние объемных ловушек [178] §3.6. Экспериментальные результаты [183] Глава 4. Фотоэлектрические характеристики [195] §4.1. Поглощение света в МДП-структурах [196] §4.2. Спектральные характеристики [203] §4.3. Частотно-контрастная характеристика [205] §4.4. ЧКХ приборов с произвольной апертурой [215] §4.5. Фотоэлектрические свойства различных типов ФПЗС [228] §4.6. Экспериментальные результаты [233] §4.7. ФПЗС в ИК-диапазоне [238] Глава 5. Шумы ПЗС [242] §5.1. Источники шума и его расчет [243] §5.2. Влияние шумов на характеристики ПЗС-устройств [251] §5.3. Экспериментальные результаты [264] §5.4. Неоднородности в элементах ПЗС [271] Глава 6. Прикладные вопросы [276] §6.1. ПЗС - изделие функциональной электроники [276] §6.2. Применение ПЗС [278] §6.3. Автоматизация проектирования ПЗС [290] §6.4. Расчеты квазистатического состояния цепей ПЗС [294] §6.5. Оптимальное проектирование ПЗС [300] ЗАКЛЮЧЕНИЕ [305] СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ [311] |
| Формат: | djvu + ocr |
| Размер: | 38534340 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
224
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |