Электронные явления переноса в полупроводниках

Автор(ы):	Аскеров Б. М. 04.08.2015
Год изд.:	1985
Описание:	Книга посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках. Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей.
Оглавление:	Обложка книги. Предисловие [3] Глава 1. Энергетический спектр носителей тока в полупроводниках [7] § 1. Движение электрона в идеальной кристаллической решетке [7] § 2. Энергетические зоны в твердых телах. Зоны Бриллюэна [10] § 3. Структура краев энергетических зон некоторых полупроводников основные модели зон [15] Глава 2. Статистика носителей заряда в полупроводниках [32] § 4. Концентрация электронов в зоне проводимости и уровень Ферми. Зависимость эффективной массы от концентрации [32] § 5. Статистика носителей заряда в собственных полупроводниках и полуметаллах [46] § 6. Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках [52] Глава 3. Решение кинетического уравнения. Механизмы рассеяния [67] § 7. Феноменологическое определение кинетических коэффициентов и их взаимная связь [67] § 8. Кинетическое уравнение и условия его применимости [71] § 9. Решение кинетического уравнения для произвольной сферически-симметричной зоны в приближении времени релаксации [78] § 10. Рассеяние носителей заряда в полупроводниках с произвольной изотропной зоной. Примесное рассеяние [89] § 11. Рассеяние носителей заряда на фононах в полупроводниках с произвольной изотропной зоной [100] § 12. Теория рассеяния носителей заряда в полупроводниках с учетом блоховских волновых функций [123] Глава 4. Электронные явления переноса в полупроводниках с изотропной зоной[136] § 13. Общие выражения основных кинетических коэффициентов [136] § 14. Явления переноса в отсутствие магнитного поля [141] § 15. Явления переноса в магнитном поле [156] § 16. Явления переноса в полупроводниках типа р-Ge [187] § 17. Увлечение носителей заряда фононами в полупроводниках с произвольной изотропной зоной [197] Глава 5. Явления переноса в полупроводниках с анизотропной непараболической зоной. Анизотропное рассеяние [206] § 18. Решение кинетического уравнения для анизотропной зоны в приближении тензора времени релаксации [207] § 19. Тензоры проводимости в полупроводниках с анизотропным законом дисперсии [210] § 20. Основные кинетические эффекты в кубических полупроводниках с изотропным законом дисперсии [214] Глава 6. Явления переноса в квантующих магнитных полях [223] § 21. Энергетический спектр и статистика носителей заряда в квантующих магнитных полях [224] § 22. Гальваномагнитные явления в квантующем магнитном поле [243] § 23. Термомагнитные явления в поперечном квантующем магнитном поле [262] Глава 7. Электронные явления переноса в полупроводниковых [278] § 24. Решение кинетического уравнения в пленках с учетом граничных условий [278] § 25. Явления переноса в пленках с произвольным изотропным [285] § 26. Квантовые размерные эффекты [294] Список литературы [310]
Формат:	djvu
Размер:	4766353 байт
Язык:	РУС
Рейтинг:	232


Открыть:	Ссылка (RU)