Электронная теория неупорядоченных полупроводников

Автор(ы):	Бонч-Бруевич В., Л., Звягин И. П., Кайпер Р. и др. 19.08.2015
Год изд.:	1981
Описание:	Книга содержит изложение основных представлений современной теории неупорядоченных полупроводников. Подробно обсуждаются новые идеи, возникшие в связи с изучением движения частиц в случайных полях, характеристики которых заданы только статистически. Выясняется, какие представления стандартной зонной теории сохраняют силу и в применении к неупорядоченным полупроводникам. Рассматриваются развитые в последнее десятилетие методы расчета энергетических, электрических и оптических характеристик неупорядоченных систем. Рассматриваются также приложения этих представлений для решения ряда задач кинетики и оптики неупорядоченных материалов.
Оглавление:	Обложка книги. Предисловие [6] Глава I. Введение [9] § 1. Определение неупорядоченной системы. Примеры [9] § 2. Случайная сетка атомов [15] § 3. Сводка некоторых экспериментальных данных [17] § 4. Общие особенности неупорядоченных систем [24] § 5. Плотность состояний (предварительные соображения) [28] § 6. Плотность состояний (строгое рассмотрение) [34] § 7. Самоусредняющиеся величины [41] Глава II. Энергетический спектр неупорядоченного полупроводника [44] § 1. Спектр электронов (качественные соображения) [44] § 2. «Подводные камни» [53] § 3. Андерсеновская локализация [57] § 4. Спектр фононов (качественные соображения) [61] § 5. Химические связи в неупорядоченных полупроводниках и модели плотности состояний [65] § 6. Неупорядоченный полупроводник без случайного поля [70] § 7. Статистические характеристики случайного поля [73] § 8. Собственное случайное поле в неупорядоченных полупроводниках [87] § 9. Теорема существования дискретных флуктуационных уровней в запрещенной зоне неупорядоченного полупроводника [98] § 10. Оценка концентрации флуктуационных уровней [109] § 11. Радиус локализации. Степенная локализация [113] § 12. Плавное искривление зон [116] § 13. Квазиоднородные системы [120] § 14. Корреляционные эффекты [123] § 15. Экситон в неупорядоченном полупроводнике [124] § 16. Кулоновская щель [129] § 17. Экранирование локализованными носителями заряда при наличии мягкой щели [136] § 18. Низкотемпературная термодинамика носителей заряда при наличии мягкой щели [140] § 19. Термодинамика локализованных носителей заряда при наличии двухэлектронных уровней [145] Глава III. Плотность состояний и двухуровневая функция корреляции [152] § 1. Введение [152] § 2. Метод оптимальной флуктуации [154] § 3. Функция корреляции уровней [160] § 4. Функция корреляции уровней электрона в гауссовом случайном поле [163] § 5. Представление функции Грина в виде континуального интеграла [169] § 6. Качественное исследование усредненной одночастичной функции Грина [173] § 7. Вычисление континуального интеграла для Gr(t). Плотность состояний [180] Глава IV. Явления переноса [190] § 1. Основные механизмы переноса [190] § 2. Гамильтониан в -представлении [195] § 3. Кинетическое уравнение [200] § 4. Отклик системы на внешнее электрическое поле и градиент температуры [206] § 5. Плотность тока в -представлении [213] § 6. Метод функций Грина в теории прыжковой проводимости [220] § 7. Многофононные перескоки [223] § 8. Общее обсуждение методов решения кинетического уравнения для локализованных электронов [228] § 9. Критерий связей [234] § 10. Температурная зависимость прыжковой проводимости [240] § 11. Бесфононная проводимость [245] § 12. Температурная зависимость прыжковой термоэдс [249] § 13. Кинетическое уравнение при учете электрон-электронного взаимодействия [256] § 14. Учет динамической корреляции между электронами при расчете проводимости и термоэдс [267] § 15. Проводимость неоднородных полупроводников с крупномасштабными флуктуациями потенциала [272] § 16. Критическое поведение в задачах протекания [278] Глава V. Междузонные оптические переходы в неупорядоченных полупроводниках [282] § 1. Общие соотношения. Роль случайного поля [282] § 2. Поглощение света в гладком гауссовом случайном поле [289] § 3. Электропоглощение в гладком поле [297] § 4. Поглощение в примесном случайном поле [305] § 5. Экситонное поглощение света в слабом случайном поле [310] § 6. Влияние экситонных эффектов на хвост коэффициента поглощения [314] Глава VI. Резонансное комбинационное рассеяние света в неупорядоченных полупроводниках [319] § 1. Введение. Общее выражение для сечения рассеяния и конфигурационное усреднение [319] § 2. Влияние гладкого случайного поля на комбинационное рассеяние света при (формула) [323] § 3. Влияние гладкого поля на комбинационное рассеяние в случае (формула) [336] Приложения [344] I. Теоремы о корреляции [344] II. Поле упругих деформаций [350] III. Характеристический функционал гауссова случайного поля [354] IV. Непосредственный расчет бинарной корреляционной функции пуассоновского случайного поля [354] V. Характеристический функционал лоренцева случайного поля [355] VI. Вычисление интеграла, фигурирующего в формуле (П. 9.31) [356] VII. Функции Грина в задаче с гамильтонианом (П. 16.1') при Т=0 [356] VIII. Диагонализация формы *** [358] IX. Вычисление величин П(к) и П(к) [361] X. Поведение решения кинетического уравнения в области малых частот [364] XI. Некоторые результаты стандартной теории протекания [366] ХII. Квазиклассический расчет функции Грина для электрона в гладком гауссовом случайном поле [369] XIII. Вычисление интеграла по * в формуле для () (V.2.1) [374] XIV. Квазиклассический расчет функции Грина для электрона в примесном случайном поле [375] XV. Преобразование выражения (VI. 2.23) [378] Литература [381]
Формат:	djvu
Размер:	3068561 байт
Язык:	РУС
Рейтинг:	176


Открыть:	Ссылка (RU)