Аналоговые интегральные схемы
Автор(ы): | Соклоф Сидней
06.10.2007
|
Год изд.: | 1988 |
Описание: | В книге профессора Калифорнийского университета (США) рассмотрены физические, технологические и схемотехнические принципы проектирования и производства аналоговых ИС. Уровень изложения материала соответствует современным достижениям микроэлектроники. Последовательно описаны методы изготовления и структура ИС, интегральные схемы источников тока, дифференциальных и операционных усилителей, компараторов, микросхемы специального назначения. Для студентов, аспирантов и преподавателей вузов по специальностям электроника, радиотехника и связь, а также специалистов соответствующих отраслей. |
Оглавление: |
От редактора перевода [5] Предисловие [8] Глава 1. Технология изготовления интегральных схем [11] 1.1. Основные операции в технологии изготовления кремниевых приборов [11] 1.2. Подготовка кремниевых пластин [11] 1.3. Диффузия [18] 1.4. Окисление [39] 1.5. Фотолитография [46] 1.6. Химическое осаждение из газовой фазы [52] 1.7. Нанесение металлизации [59] Задачи [63] Литература [68] Глава 2. Интегральные схемы [69] 2.1. Характеристики pn-перехода [69] 2.2. Эпитаксиальная структура [73] 2.3. Технологический цикл изготовления пленарного эпитаксиального диода [77] 2.4. Пленарный эпитаксиальный транзистор [78] 2.5. Разделение пластин на кристаллы и присоединение кристалла к основанию [80] 2.6. Технологический цикл изготовления полевого транзистора с pn-переходом [81] 2.7. Технологический цикл изготовления МОП-транзистора [83] 2.8. Изоляция элементов ИС [91] 2.9. Топология транзистора и его площадь [96] 2.10. pnp-транзисторы [98] 2.11. Полевые транзисторы с pn-переходом в интегральных схемах [101] 2.12. МОП-транзисторы для ИС [134] 2.13. Комплементарные МОП-транзисторы [109] 2.14. Диоды в интегральных схемах [113] 2.15. Резисторы в интегральных схемах [121] 2.16. Конденсаторы в интегральных схемах [131] 2.17. Индуктивности в ИС [134] 2.18. Перемычки в ИС [135] 2.19. Методы создания диэлектрической изоляции [136] 2.20. Изопланарная технология и другие технологические варианты [141] 2.21. Контактные площадки и поле кристалла [143] 2.22. Размер кристалла и уровень сложности ИС [145] 2.23. Проблема отвода тепла [149] Задачи [155] Литература [160] Глава 3. Источники постоянного тока, напряжения и опорного напряжения [161] 3.1. Источники постоянного тока [161] 3.2. Источники напряжения [193] 3.3. Источники опорного напряжения, не зависящие от изменения температуры [201] Задачи [224] Литература [240] Глава 4. Дифференциальные усилители [241] 4.1. Дифференциальный усилитель на биполярных транзисторах [241] 4.2. Дифференциальные усилители на полевых транзисторах [258] 4.3. Активная нагрузка [264] 4.4. Дифференциальный усилитель на составных транзисторах [272] 4.5. Дифференциальный усилитель с диапазоном входного напряжения, содержащим нулевой потенциал [274] 4.6. Ось симметрии [275] Задачи [278] Литература [281] Глава 5. Характеристики и применение ОУ [282] 5.1. Интегральные схемы [282] 5.2. Введение в теорию операционных усилителей [283] 5.3. Анализ схем на основе ОУ с обратной связью с помощью уравнений узловых потенциалов [288] 5.4. Погрешность и стабильность коэффициента усиления [294] 5.5. Частотная характеристика [297] 5.6. Переходная характеристика [301] 5.7. Напряжение смещения [303] 5.8. Входной ток смещения [307] 5.9. Коэффициент усилении синфазного сигнала [309] 5.10. Входное сопротивление [312] 5.11. Выходное сопротивление [314] 5.12. Рассеиваемая мощность и ограничение по току [316] 5.13. Влияние обратной связи на искажения [318] 5.14. Коэффициент ослабления нестабильности источника питания [320] 5.15. Шумы [321] 5.16. Термины и определения [326] 5.17. Сравнительный анализ характеристик реального и идеального операционного усилителя [331] 5.18. Устойчивость ОУ [333] 5.19. Применение ОУ [350] 5.20. Активные фильтры [360] 5.21. Фильтры с переключаемыми конденсаторами [375] Задачи [379] Литература [412] Глава 6. Проектирование схем ОУ [414] 6.1. Анализ схем ОУ [414] 6.2. Примеры расчета схем ОУ [422] 6.3. ОУ на полевых транзисторах [443] 6.4. ОУ Нортона [402] 6.5. Одиночные, сдвоенные и счетверенные ОУ [466] 6.6. ОУ с улучшенными рабочими характеристиками [468] 6.7. Буферы с единичным усилением [470] Задачи [471] Литература [478] Глава 7. Компараторы напряжения [479] 7.1. Характеристики компаратора [481] 7.2. Компараторы с положительной обратной связью [482] 7.3. Схемотехника компаратора [484] 7.1. Время рассасывания объемного заряда транзистора [490] 7.3. Методы повышения быстродействия [495] 7.6. Коэффициент усиления КМОП-инвентора [511] 7.7. КМОП — компаратор напряжения [512] Задачи [515] Литература [520] Глава 8. Интегральные схемы специального назначения [521] 8.1. Стабилизаторы напряжения [521] 8.2. Интегральные усилители мощности [524] 8.3. Видеоусилители [526] 8.4. Цифро-аналоговые преобразователи [529] 8.5. Аналого-цифровые преобразователи [531] 8.6. Балансный модулятор/демодулятор [540] 8.7. Генератор, управляемый напряжением [541] 8.8. Фазовая автоподстройка частоты [541] 8.9. Умножители, делители и функциональные генераторы [547] 8.10. Температурные датчики на основе ИС [550] 8.11. Интегральные датчики магнитного поля [550] 8.12. ИС-датчики давления [550] 8.13. Аналоговые ключи [551] 8.14. Схема выборки и хранения [552] 8.15. Приборы с переносом заряда [552] 8.16. Оптоэлектронные ИС [555] 8.17. Другие типы ИС специального назначения [557] Литература [558] Приложения A. Физические постоянные, коэффициенты преобразования, параметры [562] Б. Проводимости транзистора [562] B. Малосигнальные эквивалентные схемы транзистора [575] Предметный указатель [579] |
Формат: | djvu |
Размер: | 6718170 байт |
Язык: | РУС |
Рейтинг: |
125
|
Открыть: | Ссылка (RU) |