Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги, изд. 3
| Автор(ы): | Нефедов А.В., Гордеева В.И.
06.10.2007
|
| Год изд.: | 1990 |
| Издание: | 3 |
| Описание: | Приведены сведения об условных обозначениях, электрических параметрах, конструкциях корпусов отечественных и аналогичных зарубежных полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов). По сравнению со вторым изданием (1985 г.) значительно расширена номенклатура приборов. Для подготовленных радиолюбителей. |
| Оглавление: |
Предисловие [5] РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ. Системы обозначений и классификация отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов [6] 1.1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов [6] 1.2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов [12] 1.3. Системы цветного кодирования диодов [16] 1.4. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов [17] РАЗДЕЛ ВТОРОЙ. параметры, характеристики, режимы работы и применение полупроводниковых приборов [20] 2.1. Особенности полупроводниковых приборов [20] 2.2. Максимальные и максимально допустимые параметры [21] 2.3. Рассеиваемая мощность [21] 2.4. Пробивные (максимальные) и максимально допустимые напряжении [23] 2.5. Максимальные токи [25] 2.6. Тепловые параметры [26] 2.7. Коэффициент передачи тока [28] 2.8. Емкости переходов и постоянная времени коллектора [29] 2.9. Шумы транзисторов [29] 2.10. Эквивалентные схемы и параметры четырехполюсника [31] 2.11. Частотные свойства транзисторов [32] 2.12. Обратные токи [33] 2.13. Области работы и вольт-амперные характеристики транзисторов [34] 2.14. Импульсный и ключевой режимы работы [35] 2.15. Технология изготовления полупроводниковых приборов [38] 2.16. Конструкции корпусов [40] 2.17. Герметизация пластмассой [42] 2.18. Надежность [44] 2.19. Области применения транзисторов [44] 2.20. Высокочастотные транзисторы [47] 2.21. Составные транзисторы [49] 2.22. Выпрямительные диоды [50] 2.23. Стабилитроны [51] РАЗДЕЛ ТРЕТИЙ. Отечественные и зарубежные транзисторы [53] 3.1. О взаимозаменяемости полупроводниковых приборов [53] 3.2. Буквенные обозначения параметров биполярных и полевых транзисторов [54] 3.3. Отечественные транзисторы и их зарубежные аналоги [63] РАЗДЕЛ ЧЕТВЕРТЫЙ. Отечественные и зарубежные диоды [272] 4.1. Буквенные обозначения параметров диодов [272] 4.2. Отечественные диоды и их зарубежные аналоги [273] Приложение 1. Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги [318] Приложение 2. Зарубежные диоды и их отечественные аналоги [341] Приложение 3. Перечень отечественных транзисторов, включенных в справочник [355] Приложение 4. Перечень отечественных диодов, включенных в справочник [356] Приложение 5. Буквенные обозначения транзисторов зарубежных фирм [357] Приложение 6. Буквенные обозначения диодов зарубежных фирм [362] Приложение 7. Сокращенные обозначения зарубежных фирм [371] Приложение 8. Габаритные чертежи корпусов отечественных и зарубежных транзисторов [374] Приложение 9. Габаритные чертежи корпусов отечественных и зарубежных диодов [392] |
| Формат: | djvu |
| Размер: | 3223002 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
157
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |