Параметры и предельные режимы работы транзисторов
| Автор(ы): | Николаевский И. Ф., Игумнов Д. В.
04.07.2012
|
| Год изд.: | 1971 |
| Описание: | Книга содержит комплекс сведений о физических явлениях в транзисторе, необходимых инженерам, занимающимся разработкой и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются электрические и тепловые параметры транзистора, его характеристики и эквивалентные схемы, максимально допустимые постоянные и импульсные токи, напряжения и мощности. Показаны возможности использования транзистора в качестве усилителя и переключателя в инверсном включении и в микрорежимах. Специальное внимание уделено связям параметров транзистора и рекомендациям по определению его данных, отсутствующих в справочниках и в ТУ. Книга предназначена для инженеров-разработчиков аппаратуры на транзисторах, а также может быть рекомендована в качестве учебного пособия для студентов соответствующих факультетов вузов. |
| Оглавление: |
Обложка книги.
Глава 1. КЛАССИФИКАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ [11] 1.1. Области работы и схемы включения транзистора [11] 1.2. Параметры области отсечки (начальные токи и потенциалы) [15] 1.2.1. Схема с общей базой [16] 1.2.2. Схема с общим эмиттером [17] 1.3. Параметры области умножения (максимальные напряжения) [17] 1.3.1. Схема с общей базой [19] 1.3.2. Схема с общим эмиттером [20] 1.4. Параметры области усиления (параметры малого и большого сигналов; предельные токи и максимальные мощности) [22] 1.4.1. Параметры малого сигнала [22] 1.4.2. Параметры большого сигнала [25] 1.4.3. Максимальные мощности и предельные токи [27] 1.5. Параметры области насыщения (параметры переключения, максимальные токи и мощности) [28] 1.6. Параметры, не зависящие от области работы и схемы включения транзистора (тепловые параметры и максимальные мощности) [29] 1.6.1. Мощности рассеяния [29] 1.6.2. Тепловые сопротивления [29] 1.6.3. Тепловые постоянные [30] 1.6.4. Температура [30] 1.7. Характеристики транзисторов [30] 1.7.1. Схема с общей базой [31] 1.7.2. Схема с общим эмиттером [32] 1.8. Классификационные таблицы [32] Глава 2. ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРА [37] 2.1. Входные характеристики [37] 2.1.1. Схема с общей базой [37] 2.1.2. Схема с общим эмиттером [41] 2.2. Выходные характеристики [43] 2.2.1. Схема с общей базой [43] 2.2.2. Схема с общим эмиттером [60] 2.3. Использование вольтамперных характеристик для расчета схем и определения режимов надежной работы [78] 2.3.1. Входные характеристики [78] 2.3.2. Выходные характеристики [81] Глава 3. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА [86] 3.1. Параметры низких частот [88] 3.2. Параметры высоких частот [104] 3.3. Граничные и предельные частоты [112] 3.4. Шумы [122] Глава 4. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛA [127] 4.1. Параметры низких частот [127] 4.2. Параметры высоких частот [134] 4.3. Параметры переключения [137] 4.4. Некоторые вопросы использования параметров большого сигнала для расчета схем [149] Глава 5. ТЕПЛОВЫЕ, ПРЕДЕЛЬНЫЕ И ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА [151] 5.1. Тепловые параметры [152] 5.1.1. Тепловая модель [152] 5.1.2. Максимальная температура перехода [159] 5.1.3. Тепловое сопротивление [160] 5.1.4. Теплоемкости и тепловые постоянные [164] 5.2. Максимальные мощности [166] 5.3. Максимально допустимые мощности [172] 5.4. Максимальные токи [173] 5.4.1. Стационарный режим [173] 5.4.2. Импульсный режим [178] 5.5. Максимально допустимые токи [189] 5.5.1. Постоянные токи [190] 5.5.2. Импульсные токи [190] 5.6. Начальные токи и потенциалы [191] 5.6.1. Обратные токи переходов [192] 5.6.2. Токи коллектора [193] 5.6.3. Плавающий потенциал [195] 5.7. Максимальные напряжения [196] 5.7.1. Тепловой пробой [199] 5.7.2. Электрический пробой [208] 5.7.3. Смыкание коллекторного и эмиттерного переходов [218] 5.8. Максимально допустимые напряжения [219] 5.9. Некоторые вопросы использования формул, вольтамперных характеристик и зависимостей предельных параметров для расчета схем и режимов их надежной работы [221] 5.9.1. Области безопасной работы и надежность [222] 5.9.2. Динамические характеристики [226] 5.9.3. Теплоотводы для охлаждения транзисторов [233] Глава 6. ПАРАМЕТРЫ МИКРОРЕЖИМА [241] 6.1. Вольтамперные характеристики [242] 6.2. Усилительные параметры. [252] 6.2.1. Коэффициент усиления [252] 6.2.2. Входное сопротивление [258] 6.3. Частотно-временные параметры [263] 6.3.1. Граничная частота усиления [263] 6.3.2. Емкость эмиттера [265] 6.3.3. Переходная характеристика [268] 6.4. Некоторые вопросы использования транзисторов в микрорежиме [275] 6.4.1. Работа в режиме пробоя [276] 6.4.2. Работа при питании переменным напряжением [281] Глава 7. ПАРАМЕТРЫ ИНВЕРСНОГО ВКЛЮЧЕНИЯ [284] 7.1. Остаточные параметры [285] 7.1.1. Остаточное напряжение [285] 7.1.2. Остаточный ток [301] 7.2. Усилительные параметры [302] 7.2.1. Коэффициент передачи тока а1 [302] 7.2.2. Входное сопротивление [319] 7.2.3. Крутизна проходной характеристики [323] 7.2.4. Коэффициент обратной связи по напряжению [324] 7.2.5. Выходная проводимость [326] 7.3. Частотные и переходные свойства [328] 7.3.1. Граничная частота усиления [329] 7.3.2. Емкости переходов [334] 7.3.3. Времена переключения [337] 7.4. Максимальные предельные режимы [339] 7.4.1. Пробивное напряжение коллекторного перехода [339] 7.4.2. Максимальный ток коллектора [345] 7.5. Некоторые вопросы использования транзисторов в инверсном включении [349] 7.5.1. Транзисторные модуляторы [349] 7.5.2. Границы использования транзистора в инверсном включении в схемах ключей [356] 7.5.3. Транзисторный ключ с нулевым остаточным напряжением [363] 7.5.4. Реверсивный составной транзистор [366] Приложения [367] Литература [371] |
| Формат: | djvu |
| Размер: | 5822611 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
192
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |