Аморфные полупроводники и приборы на их основе
| Автор(ы): | Хамакава Й.
07.05.2016
|
| Год изд.: | 1986 |
| Описание: | Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, их электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников. Для научных работников и специалистов металлургической, машиностроительной, авиационной, судостроительной промышленности, занимающихся вопросами материаловедения, полупроводниковой и электронной техники. |
| Оглавление: |
Обложка книги.
Предисловие [11] Хамакава Й. — История развития технологии аморфных полупроводников и приборов на их основе [12] Библиографический список [20] Некоторые сведения из физики аморфных полупроводников [21] Йонезава ф. — Теория аморфных полупроводников в связи с новыми перспективами их применения [21] Абе Ш., Тойозава Ю. — Плотность состояний электронов и край оптического поглощения в аморфных полупроводниках [55] Катайама Й., Шимада Т. — Структура связей в сетках a-Si [48] Ширафуджи Дж., Инуиши И. — Дисперсионный перенос в a-Si:Н [64] Библиографический список [77] Новые методы исследования аморфных полупроводников [81] Шимизу Т. — Электронный парамагнитный (ЭПР) и ядерный магнитный (ЯМР) резонансы [81] Моригаки К., Сано Е., Хирабаяши И. — Оптически детектируемый магнитный резонанс (ОДМР) в гидрогенизированиом аморфном кремнии [93] Танака К., Ямасаки С. — Фотоакустическая спектроскопия (ФАС). Оптическое поглощение в a-Si:Н при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны [104] Окуши X., Охеда X., Ташка К. — Спектроскопия состояний в запрещенной зоне [11] Ода М., Томита X., Шимизу И. — Изучение фотопроводимости методом видикона [132] Аояги Е., Сегава Ю., Окамотэ X. — Пикосекундная спектроскопия. [144] Библиографический список [155] Новые сплавы на основе кремния, получаемые в тлеющем разряде [158] Юкимото Й. — Гидрогенизированные сплавы a-Si-Ge и их оптоэлектронные свойства [158] Тавада Й. — Управление типом и концентрацией носителей заряда в a-SiC:Н [170] Ташка К., Матсуда А. — Основные свойства мк-Si, полученного плазменным осаждением [185] Xupoсe М. — Получение и свойства твердых растворов [197] Библиографический список [206] Солнечные элементы на основе аморфного кремния [208] Хамакава Й., Окамото X. — Физика прнбораи оптимальная конструкция солнечных элементов на основе аморфного кремния [208] Кувано Ю., Охниши М. — Интегральные солнечные модули на основе аморфного кремния [235] Харуки X., Учида Ю. — Солнечные элементы на основе аморфного кремния на подложке из нержавеющей стали [245] Юкимото Й. — Многослойные или каскадные солнечные элементы [257] Оканива X., Накатаны К. — Солнечные элементы на гибкой подложке [268] Библиографический список [280] Электронные приборы на основе аморфных полупроводников [282] Сузуки К., Икеда М., Кикучи М. — Тонкопленочные транзисторы на основе аморфного кремния [282] Шираки Я., Маруяма Е. — Тонкопленочные транзисторы на основе поликрнсталлического кремния и их применение в дисплеях на жидких кристаллах [297] Мурасе К., Амемия Й., Мизушима Й. — Тройной аморфный сплав Si-Ge-B и его применение в высокоскоростных диодах с малыми потерями [306] Библиографический список [318] Оптоэлектронные применения аморфных полупроводников [319] Маруяма Е. — Фотодатчики и устройства, формирующие изображения. [319] Шиосаки Т. — Оптические модуляторы и оптические элементы интегральных схем [332] Такенага М., Ямашита Т. — Оптические запоминающие устройства с большим объемом памяти [344] Кавамура Т., Ямамото Накаяма Е. — Применение аморфных полупроводников в электрофотографии [360] Библиографический список [371] Предметный указатель [373] |
| Формат: | djvu |
| Размер: | 4664937 байт |
| Язык: | РУС |
| Рейтинг: |
211
|
| Открыть: | Ссылка (RU) |